Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://er.nau.edu.ua/handle/NAU/36959
Назва: | Memristors and nonvolatile random access memory (NVRAM) in nanoelectronics |
Інші назви: | Мемрістори та енергонезалежна оперативна пам'ять (МЕНОП) в наноелектроніці |
Автори: | Sineglazov V. M. Zelenkov A. A. Askerov Sh. I. |
Ключові слова: | memristor nonvolatile random access memory nanotechnology nanoscale |
Дата публікації: | вер-2017 |
Видавництво: | Osvita Ukraini |
Короткий огляд (реферат): | The manual is devoted to the physical principles of the memristor as a fourth fundamental element, whose existence was predicted theoretically in 1971, and in 2008 alone the memristor was realized physically. The basic characteristics and models of the memristor as the basic element of the electrical circuits, along with the resistor, inductor and capacitor are considered. The basic note is shared to the effect of the resistive switching of the memristor, its physical realization, as well as building on its base of some types of nonvolatile random access memory (NVRAM), elements of which are dimensions of the order of several nanometers, and therefore their physical realization is in the field of nanotechnology. The properties of materials to realize new approaches to the development of computers and their basic elements are just manifested in the nanoscale. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://er.nau.edu.ua/handle/NAU/36959 |
ISBN: | 978-617-7480-89-0 |
Розташовується у зібраннях: | Монографії, навчальні посібники кафедри авіаційних комп'ютерно-інтегрованих комплексів (НОВА) |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
Nano_2017.pdf | Training book | 20.51 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Обкладинка.TIF | Обкладинка | 135.97 kB | TIFF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.